Numéro de produit du fabricant:
TSM089N08LCR RLG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM089N08LCR RLG-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
Description détaillée:
N-Channel 80 V 67A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventaire:
10000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12891836
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
LEoT
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TSM089N08LCR RLG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
67A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.9mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6119 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
TSM089
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM089N08LCRRLGDKR
TSM089N08LCR RLGTR-DG
TSM089N08LCR RLGDKR
TSM089N08LCR RLGCT-DG
TSM089N08LCRRLGCT
TSM089N08LCR RLGTR
TSM089N08LCRRLGTR
TSM089N08LCR RLGDKR-DG
TSM089N08LCR RLGCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP3018SFV-7
MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
DMN30H4D0L-7
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
TSM60NB150CF C0G
MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S
